英尚微推出小尺寸低功耗串行SRAM解決方案
2025-10-14 10:02:32
為滿足客戶對更大更高效的串口SRAM的普遍需要，英尚微擴展了公司旗下
串行SRAM產(chǎn)品系列，不僅僅存儲量提高，串行外設(shè)接口/串行四通道輸入/輸出接口（SPI/SQI™）的速度也將同步提高，我們可以提供不同存儲量器件，為傳統(tǒng)意義上的串行SRAM產(chǎn)品提供性價比更高的替代方案，并在SRAM存儲芯片中包含可選的電池備份數(shù)據(jù)切換電源電路，以便在斷電時保存數(shù)據(jù)。
在目前串行SRAM芯片制造工藝演變中，嵌入式SRAM的尺寸縮小速度相對滯后邏輯區(qū)域，限制控制系統(tǒng)整體面積的進一步微縮，造成芯片成本下降幅度未能達到理想標準。考慮到處理器與控制系統(tǒng)的核心功能主要由邏輯塊實現(xiàn)，將嵌入式SRAM從芯片中剝離，進而使用外部獨立SRAM，正逐漸成為更具系統(tǒng)優(yōu)化意義的設(shè)計思路。
英尚微電子推出的串行SRAM芯片具備小尺寸、低功耗與高性能等特點，擁有無限耐用性與零寫入時間的優(yōu)點，非常適用于連續(xù)傳送數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)緩沖、實時記錄、計量檢驗以及其他數(shù)學(xué)與數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。產(chǎn)品存儲量覆蓋64 Kb至4 Mb，支持SPI、SDI及SQI等多種總線模式。
盡管串行SRAM在整個SRAM市場上仍屬于細分市場，但在空間受限、強調(diào)低功耗與小封裝的特定應(yīng)用場景中，它始終是不可缺少的優(yōu)選方案。
本文關(guān)鍵詞：SRAM,串行SRAM
上一篇文章：國產(chǎn)高性能psram偽靜態(tài)存儲器選型優(yōu)勢
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