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CellularRAM(簡稱CRAM)存儲器是一種合并DRAM和SRAM的偽靜態DRAM(pSRAM)設備采用SRAM架構,隱藏刷新操作,同時兼容SRAM引腳,這種混合內存提供了最好的SRAM和DRAM的特點,結合低功耗和高速讀寫函數,還同時提供同步操作,存儲速度快,可變延遲初始的突發訪問,可以提高吞吐量和優異IDE性能。
JSC濟州半導體是全球最大的移動應用解決方案提供商之一的SRAM
由于濟州半導體出道到SRAM(靜態隨機存取存儲器)和4M SRAM的2001市場,濟州半導體持續實施全系列低功耗SRAM產品通過1M、2M、4M至8M SRAM。
濟州半導體的SRAM是建立在強大的6晶體管存儲單元的技術,可以在非常低的功耗的快速存取時間。濟州半導體存儲器產品已被公認為最強大的低功耗存儲解決方案,可以穩定地運行任何嚴謹的環境下可以通過移動手機。濟州半導體是由世界領先的手機制造商公認的一個最可靠的SRAM制造商。除了手機應用,濟州半導體SRAM SRAM提供產品應用在全世界。
Density KGD Part Number PKG Part Number Voltage Max Speed Page Mode DPD Mode Package Type PDF下載
128Mb JSC28SSP8AG JSC28SSP8AGDY-50I 1.8V 200MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暫無
128Mb JSC28SSU8AG JSC28SSU8AG 3.0V 133MHz Non O KGD 暫無
128Mb JSC28SSP8AG JSC28SSP8AG 1.8V 200MHz Non O KGD 暫無
128Mb JSC28SSU8AG JSC28SSU8AGDY-75I 3.0V 133MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暫無
64Mb JSC64SSU8AG JSC64SSU8AG 3.0V 133MHz Non O KGD 暫無
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AGDY-50I 1.8V 200MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暫無
64Mb JSC64SSU8AG JSC64SSU8AGDY-75I 3.0V 133MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暫無
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AGI 1.8V 200MHz Non O KGD 暫無
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AGM 1.8V 200MHz Non O KGD 暫無
64Mb JSC64SSU8AG JSC64SSU8AGM 3.0V 133MHz Non O KGD 暫無
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AG 1.8V 200MHz Non O KGD 暫無
64Mb EMC643SP16CKx EMC643SP16CKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暫無
64Mb EMC643SP16BKx EMC643SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暫無
64Mb EMC646SP16BKx EMC646SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暫無
32Mb EMC323SP16BKx EMC323SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz Non RCR-DPD -- 暫無
32Mb EMC326SP16BKx EMC326SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz Non RCR-DPD -- 暫無
16Mb EMC326SP16BKx EM7164SP16CSP-70LFI 1.8v 133MHz -- -- -- 暫無
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