Everspin在設計制造MRAM和STT-MRAM方面處于翹楚，進入數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用。
 
    我司Everspin代理英尚微電子提供的串行SPI MRAM MR25H10是使用最少引腳數(shù)快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序的理想存儲器。
 
    特點
    •無寫入延遲
    •無限制的寫入續(xù)航能力
    •數(shù)據(jù)保留期超過20年
    •斷電時的自動數(shù)據(jù)保護
    •塊寫入保護
    •快速、簡單的SPI接口，時鐘頻率高達40 MHz
    •2.7至3.6伏電源范圍
    •低電流睡眠模式
    •工業(yè)溫度
    •可提供符合RoHS的8引腳DFN或8引腳DFN-Small Flag
    •直接替換串行EEPROM、閃存、FeRAM
    •AEC-Q100 1級選項
 
    MR25H10容量為1Mb的MRAM存儲器，位寬為8位的131072個字。提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫定時，無寫延遲，讀/寫持久性無限制。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機發(fā)生，寫入之間沒有延遲。使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序的理想內(nèi)存解決方案。封裝兼容串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品。

本文關鍵詞：MRAM,Everspin

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