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多芯片封裝(NAND MCP)產品以基于不同存儲技術工藝設計在同一基板上,卓越性的晶片堆疊技術不僅優化電路板的設計空間,還將不同存儲技術產品,包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1,DDR2或DDR4設計在一個基板上,為應用實現更快的啟動時間,更長的電池壽命和更高的可靠性,NAND MCP主流產品的組合為1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。
JSC濟州半導體是全球最大的移動應用解決方案提供商之一的NAND MCP廠家
JSC濟州半導體NAND MCP產品線主要包括NAND MCP+LPDDR4,NAND MCP+LPDDR2,NAND MCP+LPDDR1,目前NAND MCP+LPDDR2,的產品更新到4Gb + 4Gb的容量,JSC NAND MCP是由工業級的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封裝在一起,不僅減小體積,同時能夠減少外部電路的干擾,增強 Flash 和 DDR 的通信能力,提升系統整體的性能和可靠性。應用如手機,平板,數據卡,通訊模塊,物聯網模塊,和可穿戴產品。
Tpye Part Number NAND(Density) NAND(Bus) NAND(Type) DRAM(Density) DRAM(Bus) DRAM(Type) ECC Speed Page Size Package Type PDF下載
4Gb + 4Gb JSFCCK3YH3BBL-425 4Gb x8 SLC 4Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無
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4Gb + 2Gb JSFCBB3YH3BBD-425 4Gb x8 SLC 2Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (11.5mm x 13mm) 暫無
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